يحتاج معظم الناس إلى شحن هواتفهم الذكية كل يوم أو يومين، ولكن التطوّر العلمي الجديد الذي حققه باحثون مع IBM و Samsung قد يغير هذا الأمر. حيث تعاونت الشركتان في تصميم أشباه موصلات Semiconductors غير مسبوقة أطلقوا عليها اسم VTFET، وهي بنية رقاقة جديدة قد تقلل من استخدام الطاقة بنسبة تصل إلى 85 بالمائة عند مقارنتها بتقنية FINFET الأكثر تقليدية، أي باختصار: أداء خارق.
وتقول أي بي إم إن هذا الإنجاز المهم يُظهر إمكانية التوسع إلى ما وراء الاستخدام التقليدي. وقد يؤدي هذا إلى عدد من الفوائد وصولاً إلى المستهلك ، حيث أوضحت الشركتان أن هذا الابتكار التكنولوجي قد يؤدي إلى تشغيل بطاريات الهواتف الذكية لمدة أسبوع كامل قبل الحاجة إلى إعادة شحنها.
بالإضافة إلى ذلك ، قد تقلل التكنولوجيا أيضًا من كمية الطاقة المستخدمة في تعدين العملات المشفرة ، مما قد يساعد في معالجة مخاوف تغير المناخ الرئيسية المرتبطة بالعملة الرقمية القائمة على blockchain.
تؤكد كلتا الشركتين أن التصميم الحالي التصاعدي قد يمتد إلى ما يعرف بقانون مور Moore’s law، في إشارة إلى ملاحظة قوردون مور قبل عقود من الزمان بأن أرقام ترانزستور الدائرة المتكاملة ستتضاعف كل عامين. تشرح شركة IBM أن الفكرة قد اقتربت من حدودها حيث تقدم الرقائق حدودًا للحجم المادي يحاول المصنعون فيها “حزم المزيد من الترانزستورات”.
يقدم هذا الاختراع بعض التغييرات الرئيسية المحتملة، بما في ذلك تمديد وقت تشغيل بطارية الهاتف إلى حوالي أربعة أيام ، وتحسين أداء الكمبيوتر المحمول ، وتقليل آثار الكربون في مركز البيانات عن طريق تقليل استخدام الطاقة. يعتمد اختراق تصميم VTFET المشترك الجديد من IBM و Samsung على هذا العمل ، مع ملاحظة IBM أن الترتيب الرأسي “يركز على بُعد جديد تمامًا”.
يتم تطوير هذه التقنية في مجمّع Albany Nanotech في نيويورك ، موطن النظام البيئي الرائد عالميًا لأبحاث أشباه الموصلات والنماذج الأولية.
